top of page

Publications

36. Quantum Confined Luminescence in Two Dimensions

      S. Bachu, F. Habis, B. Huet, S. Y. Woo, L. Miao, D. R. Hickey, G. Kim, N. Trainor, K. Watanabe, T. Taniguchi, D. Jariwala,

      J. M. Redwing, Y. Wang, M. Kociak, L. H. G. Tizei, N. Alem*

      arXiv. 2024

35. Highly Tunable Room-Temperature Plexcitons in Monolayer WSe2/Gap-Plasmon Nanocavities

      T. P. Darlington, M. Rahaman, K. W. Kwock, E. Yanev, X. Wu, L. N. Holtzman, M. Holbrook, G. Kim, K. Y. Ma, H. S. Shin,

      A. Krayev, N. J. Borys, D. N. Basov, K. Barmak, J. C. Hone, A. N. Pasupathy, D. Jariwala, P. J. Schuck*

      arXiv. 2023

34. Confinement of Excited States in Two-Dimensional, In-Plane, Quantum Heterostructures

      G. Kim, B. Huet, C. Stevens, K. Jo, J.-Y. Tsai, S. Bachu, M. Leger, K. Y. Ma, N. R. Glavin, H. S. Shin, N. Alem, Q. Yan,

      J. Hendrickson, J. Redwing, D. Jariwala*

      Nat. Commun. 2024Accepted 

33. Tunable Localized Charge Transfer Excitons in a Mixed Dimensional van der Waals Heterostructure     

      M. Rahaman, E. Marino, A. G. Joly, S. Song, Z. Jiang, B. T. O. Callahan, D. J. Rosen, K. Jo, G. Kim, P. Z. El-Khoury, C. B.

      Murray, D. Jariwala* 

      ACS Nano 202418, 15185 

32. A Scalable Ferroelectric Non-Volatile Memory Operating at 600 oC

      D. K Pradhan, D. C Moore, G. Kim, Y. He, P. Musavigharavi, K.-H. Kim, N. Sharma, Z. Han, X. Du, V. S Puli, E. A Stach, W

      J. Kennedy*, N. R Glavin*, R. H Olsson III*, D. Jariwala*

      Nat. Electronics 2024, 7, 348

31. Unusual Raman Enhancement Effect of Utrathin Copper Sulfide     

      G. Kim+, D. W. Jeong+, G. Lee, S. Lee, K. Y. Ma, H. Hwang, S. Jang, J. Hong, S. Pak, S. Cha, D. Cho, S. Kim, J. Lim,

      Y.-W. Lee, H. S. Shin*, A -R. Jang*, J. Lee* 

      Small 202420, 2306819

30. Negative Capacitance Field-Effect Transistors Based on Ferroelectric AlScN and 2D MoS2

      S. Song+, K.-H. Kim+, S. Chakravarthi, Z. Han, G. Kim, K. Y. Ma, H. S. Shin, R. H Olsson III, D. Jariwala*

      Appl. Phys. Lett. 2023, 123, 183501

29. Metal-Ferroelectric AlScN-Semiconductor Memory Devices on SiC Wafers

      Y. He+, S. Chen+, M. M. A. Fiagbenu, C. Leblanc, P. Musavigharavi, G. Kim, X. Du, J. Chen, X. Liu, E. A. Stach, R. H Olsson

      III, D. Jariwala*

      Appl. Phys. Lett. 2023, 123, 122901

28. Tailoring Exciton Dynamics in TMDC Heterobilayers in the Quantum Plasmonic Regime

      M. Rahaman, G. Kim, K. Y. Ma, S. Song, H. S. Shin, D. Jariwala*

      NPJ 2D Mater. Appl. 2023, 7, 66

27. Wafer-Scale Growth of Two-Dimensional, Phase-Pure InSe     

      S. Song, S. Jeon, M. Rahaman, J. Lynch, P. Kumar, S. Chakravarthi, G. Kim, X. Du, E. Blanton, K. Kisslinger, M. Snure, N. R.

      Glavin, E. A. Stach, R. H. Olsson, D. Jariwala*     

      Matter 2023, 6, 3483

26. Scalable CMOS Back-End-of-Line-Compatible AlScN/Two-Dimensional Channel Ferroelectric Field-Effect Transistors  

      K.-H. Kim, S. Oh, M. M. A. Fiagbenu, J. Zheng, P. Musavigharavi, P. Kumar, N. Trainor, A. Aljarb, Y. Wan, H. M. Kim, K. Katti, 

      S. Song, G. Kim, Z. Tang, J.-H. Fu, M. Hakami, V. Tung, J. M. Redwing, E. A. Stach, R. H. Olsson, D. Jariwala*   

      Nat. Nanotechnol. 2023, 18, 1044

25. Spatially Controlled Two-Dimensional Quantum Heterostructures
      G. Kim+, S. Song+, D. Jariwala*
     
Mater. Res. Lett. 2023, 11, 327

​24. Microwave Facilitated Few-layer Covalent Organic Framework/Monolayer Transition Metal Dichalcogenide Heterostructures
      L. K. Beagle*, D. C. Moore, G. Kim, L. D. Tran, P. Miesle, C. Nguyen, Q. Fang, K.-H. Kim, T. Prusnik, M. Newburger, R. Rao, 

      D. Jariwala, J. Lou, L. A. Baldwin, N. R. Glavin*
     
ACS Appl. Mater. Interfaces 2022, 14, 46876 


23. Cavity-Enhanced Raman Scattering from 2D Hybrid Perovskites
      A. Singh, J. Lynch, S. B. Anantharaman, J. Hou, S. Singh, G. Kim, A. D. Mohite, R. Singh, D. Jariwala*
     
J. Phys. Chem. C  2022, 126, 11158

22. High-Density, Localized Quantum Emitters in Strained 2D Semiconductors

      G. Kim, H. M. Kim, P. Kumar, M. Rahaman, C. E. Stevens, J. Jeon, K. Jo, K.-H. Kim, N. Trainor, H. Zhu, B. H. Sohn, E. A. Stach,

      J. R. Hedrickson, N. R. Glavin, J. Suh, J. M. Redwing, D. Jariwala*

      ACS Nano 2022, 16, 9651


21. Epitaxial Single-Crystal Hexagonal Boron Nitride Multilayers on Ni (111)
      K. Y. Ma+, L. Zhang, S+. Jin, Y. Wang, S. I. Yoon, H. Hwang, J. Oh, D. S. Jeong, M. Wang, S. Chatterjee, G. Kim, A.-R. Jang,

      J. Yang, S. Ryu, H. Y. Jeong, R. S. Ruoff*, M. Chhowalla*, F. Ding*, H. S. Shin*
     
Nature 2022, 606, 88


20. Direct Growth of Hexagonal Boron Nitride on Non-Metallic Substrates and its Heterostructures with Graphene
      I. G. Juma, G. Kim, D. Jariwala, S. K. Behura*
     
iScience 2021, 24, 103374.

19. Blue Emission at Atomically Sharp 1D Heterojunctions between Graphene and h-BN

      G. Kim+, K. Y. Ma+, M. Park, M. Kim, J. Jeon, J. Song, J. E. Barrios-Vargas, Y. Sato, Y.-C. Lin, K. Suenaga, S. Roche, S. Yoo,

      B.-H. Sohn, S. Jeon, H. S. Shin*

      Nat. Commun. 2020, 11, 5359


18. Ultralow Dielectric Constant Amorphous Boron Nitride
      S. Hong, C.-S. Lee, M.-H. Lee, Y. Lee, K. Y. Ma, G. Kim, S. I. Yoon, K. Ihm, K.-J. Kim, T. J. Shin, S. W. Kim, E.-C. Jeon, H. Jeon,

      J.-Y. Kim, H.-I. Lee, Z. Lee, A. Antidormi, S. Roche, M. Chhowalla*, H.-J. Shin*, H. S. Shin*
     
Nature 2020, 582, 7813.


17. Effect of Pt Crystal Surface on Hydrogenation of Monolayer h-BN and Its Conversion to Graphene
      M. Kim, S. W. Moon, G. Kim, S. I. Yoon, K. C. Kim, S. K. Min*, H. S. Shin*
     
Chem. Mater. 2020, 32, 4584.

 

16. Spatially Controlled Lateral Heterostructures of Graphene and Transition Metal Dichalcogenides toward Atomically Thin and

      Multi-Functional Electronics

      G. Kim, H. S. Shin*

      Nanoscale 2020, 12, 5286


15. Layered Material Platform for Surface Plasmon Resonance Biosensing
      F. Wu, P. A. Thomas, V. G. Kravets, H. O. Arola, M. Soikkeli, K. Iljin, G. Kim, M. Kim, H. S. Shin, D. V. Andreeva, C. Neumann,

      M. Küllmer, A. Turchanin, D. D. Fazio, O. Balci, V. Babenko, B. Luo, I. Goykhman, S. Hofmann, A. C. Ferrari, K. S. Novoselov*,

      A. N. Grigorenko*
      Sci. Rep. 2019, 9, 20286.

14. Planar and van der Waals Heterostructures for Vertical Tunnelling Single Electron Transistors

      G. Kim, S. S. Kim, J. Jeon, S. I. Yoon, S. Hong, Y. J. Cho, A. Misra, S. Ozdemir, D. Ghazaryan, A. Mishchenko, D. V. Andreeva,

      Y. J. Kim, H. J. Chung, A. K. Geim, K. S. Novoselov*, B. S. Sohn*, H. S. Shin*

      Nat. Commun. 2019, 10, 230

      [Highlighted in Nat. Nanotechnol. 2019, 14, 100]

13. AA’-Stacked Trilayer Hexagonal Boron Nitride Membrane for Proton Exchange Membrane Fuel Cells
      S. I. Yoon+, D. J. Seo+, G. Kim, M. Kim, C. Y. Jung, Y. G. Yoon, S. H. Joo, T. Y. Kim*, H. S. Shin*
     
ACS Nano 2018, 12, 10764.


12. Evidence of Local Commensurate with Lattice Match of Graphene on Hexagonal Boron Nitride
      N. Y. Kim, H. Y. Jeong, J. H. Kim, G. Kim, H. S. Shin, Z. Lee*
     
ACS Nano 2017, 11, 7084.


11. Probing Evolution of Twist-Angle-Dependent Interlayer Excitons in MoSe2/WSe2 van der Waals Heterostructure
      P. K. Nayak, Y. Horbatenko, S. Ahn, G. Kim, J. U. Lee, K. Y. Ma, A. R. Jang, H. Lim, D. Kim, S. Ryu, H. Cheong, N. Park,

      H. S. Shin*
     
ACS Nano 2017, 11, 4041.


10. Chemical Vapor-Deposited Hexagonal Boron Nitride as a Scalable Template for High-Performance Organic Field-Effect

      Transistors
      T. H. Lee, K. Kim, G. Kim, H. J. Park, D. Scullion, L. Shaw, M. G. Kim, X. Gu, W. G. Bae, J. G. Santos, Z. Lee, H. S. Shin,

      Y. Nishi, Z. Bao*
     
Chem. Mater. 2017, 29, 2341.

 

9. Hexagonal Boron Nitride/Au Substrate for Manipulating Surface Plasmon and Enhancing Capability of Surface-Enhanced

    Raman Spectroscopy

    G. Kim, M. Kim, C. Hyun, S. Hong, K. Y. Ma, H. Lim*, H. S. Shin*

    ACS Nano 2016, 10, 11156.


8. Prevention of Transition Metal Dichalcogenide Photodegradation by Encapsulation with h-BN Layers
    S. Ahn, G. Kim, P. K. Nayak, S. I. Yoon, H. Lim, H. J. Shin, H. S. Shin*
   
ACS Nano 2016, 10, 8973.


7. Wafer-Scale and Wrinkle-Free Epitaxial Growth of Single-Orientated Multilayer Hexagonal Boron Nitride on Sapphire
    A. R. Jang, S. Hong, C. Hyun, S. I. Yoon, G. Kim, H. Y. Jeong, T. J. Shin, S. O. Park, K. Wong, S. K. Kwak, N. Park, K. Yu. E. Choi,

    A. Mishcenko, F. Withers, K. Novoselov, H. Lim*, H. S. Shin*
   
Nano Lett. 2016, 16, 3360.

6. Catalytic Conversion of Hexagonal Boron Nitride to Graphene for In-Plane Heterostructures

    G. Kim+, H. Lim+, K. Y. Ma, A. R. Jang, G. H. Ryu, M. Jung, H. J. Shin, Z. Lee, H. S. Shin*

    Nano Lett. 2015, 15, 4769.


5. Atomic-Scale Dynamics of Triangular Hole Growth in Monolayer Hexagonal Boron Nitride under Electron Irradiation
    G. H. Ryu, H. J. Park, J. Ryou, J. Park, J. Lee, G. Kim, H. S. Shin, C. W. Bielawski, R. S. Ruoff, S. Hong*, Z. Lee*
   
Nanoscale 2015, 7, 10660.


4. Superstructural Defects and Superlattice Domains in Stacked Graphene
    J. M Yuk, H. Y. Jeong, N. Y. Kim, H. J. Park, G. Kim, H. S. Shin, R. S. Ruoff, J. Y. Lee*, Z. Lee*
   
Carbon 2014, 80, 755.


3. Stacking of Two-Dimensional Materials in Lateral and Vertical Directions
    H. Lim, S. I. Yoon, G. Kim, A. R. Jang, H. S. Shin*
   
Chem. Mater. 2014, 26, 4891.

2. Growth of High-Crystalline, Single-Layer Hexagonal Boron Nitride on Recyclable Platinum Foil

    G. Kim+, A. R. Jang+, H. Y. Jeong, Z. Lee, D. J. Kang, H. S. Shin*

    Nano Lett. 2013, 13, 1834.


1. Reversibly Light-Modulated Dirac Point of Graphene Functionalized with Spiropyran
    A. R. Jang, E. K Jeon, D. Kang, G. Kim, B. S. Kim, D. J. Kang, H. S. Shin*
   
ACS Nano 2012, 6, 9207.

bottom of page